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氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究

采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术, 以NH3为掺杂源, 制备了氮δ掺杂Cu2O 薄膜, 研究了N掺杂对Cu2O薄膜表面形貌、光学及电学......

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材料等离子体增强原子层沉积氮δ掺杂 Cu2O薄膜 NH3掺杂源 materials plasma enhanced atomic layer deposit

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